Zukünftige Entwicklungen in der Energie- und Fahrzeugtechnik werden getrieben von der Forderung nach Reduzierung der CO2-Emission und Ressourcenschonung. Hierzu werden in der Leistungselektronik für alle Arten von elektrischen Antrieben neuartige Ansätze für Halbleiter-Bauelemente benötigt. Der Einsatz von „Wide Bandgap"-Halbleitermaterialien wie Siliciumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN) und Galliumoxid (Ga2O3) ermöglicht es, extrem energieeffiziente leistungselektronische Systeme zu realisieren. Werden Sie Teil unseres Teams und arbeiten Sie aktiv in der Forschung zu Wide-Bandgap-Halbleiter-Devices mit.
- Sie entwickeln und fertigen neuartige Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter für zukunftsweisende Anwendungen in der Elektromobilität.
- Mit Ihrer Expertise treiben Sie die Entwicklung neuer Chip-Prozesse sowie ganzer Prozessflüsse aktiv voran und prozessieren die Bauelemente in unserem Forschungsreinraum.
- Sie führen die elektrische sowie physikalische Charakterisierung der gefertigten Bauelemente durch, um ein tiefgreifendes Verständnis für die Wechselwirkungen zwischen Prozessen und elektrischen Eigenschaften aufzubauen.
- Die Untersuchung und Bewertung neuartiger Bauteilekonzepte auf deren Potenzial und Umsetzbarkeit gehört ebenfalls zu Ihrem Verantwortungsbereich.
- In enger Abstimmung mit internen sowie externen Partnerinnen bzw. Partnern steuern Sie Prozessabläufe sowie Maskenlayouts, verantworten die Charakterisierung und bewerten die Ergebnisse anhand der gesetzten Anforderungen.
- Sie erkennen das Potenzial neuer Konzepte sowie Ideen und verantworten deren patentrechtliche Absicherung.